電子デバイス　半導体電力変換　合同研究会

〔委 員 長〕石原　宏（東工大)

〔幹　　事〕和田恭雄（早　大），益　一哉（東工大），高橋琢二（東　大)

〔委 員 長〕斎藤涼夫（東　芝)

〔幹　　事〕千葉　明（東京理科大），小倉常雄（東　芝)

〔幹事補佐〕竹下隆晴（名工大），藤田英明（東工大)

日　時　11月28日 (木) 13：00〜16：50
　　　　　　　　 29日 (金)　9：00〜17：00

会　場　高知大学理学部朝倉キャンパス（高知市曙町2-5-1，
　　　　　高知空港から車約45分，空港バス約50分，
　　　　　詳細はhttp://www.kochi-u.ac.jp/JA/annai/kotu.htmlをご覧ください。

協　賛　パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会
　　　　　（委員長 関　康和，幹事 四戸　孝，高田育紀，幹事補佐 岩室憲幸)

議　題　テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術/
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　半導体電力変換一般」

11月28日 (木) 13：00〜16：50

EDD-02-83　SPC-02-113DSPベース適応型ニューラルネットワーク高調波電流の
　　　　　　　　推定器と評価
M. Rukonuzzaman，西田克巳，中岡睦雄（山口大)

EDD-02-84　SPC-02-114高調波トランスを用いたZCS-PFM直列共振形コンバータと
　　　　　　　　ZVS-PFM並列共振形コンバータ
苗井　健，石飛　学，中村萬太郎，Laknath Gamage，中岡睦雄（山口大)

EDD-02-85　SPC-02-115共振ACリンク方式三相電圧形インバータの電磁ノイズ評価
吉田正伸，平木英治，中岡睦雄（山口大)

EDD-02-86　SPC-02-116埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
斎藤　渉，大村一郎，都鹿野健一，小倉常雄，大橋弘道（東　芝)

EDD-02-87　SPC-02-117120Vマルチリサーフ型ジャンクションバリアショットキー
　　　　　　　　ダイオード（MR-JBS)
九里伸治，北田瑞枝，大島宏介，菅井昭彦（新電元工業)

EDD-02-88　SPC-02-118電荷蓄積ダイオード（CSD）における逆回復損失の検討
山崎みや，小林秀雄，篠原信一（オリジン電気)

EDD-02-89　SPC-02-119120V BiC-DMOSプロセス開発
　　　　　　　　―42Vバッテリーシステム，FPDシステムの高機能化―
寺島知秀，山本文寿，畑迫健一，日根史郎（三菱電機)

EDD-02-90　SPC-02-120高効率DC/DCコンバータ向け低オン抵抗・
　　　　　　　　　低容量横型パワーMOSFET
白石正樹，坂本光造，岩崎貴之（日　立)

11月29日 (金) 9：00〜12：10

EDD-02-91　SPC-02-121高速ゲート電圧制御による多並列MOSFETの損失均等化
奥田達也，浦壁隆浩，角田義一，浅井孝公（三菱電機)

EDD-02-92　SPC-02-122高周波SOIパワーMOSFETの線形増幅特性
松本　聡，平岡靖史（NTT)

EDD-02-93　SPC-02-123待機電力を大幅に削減する電源用パワーIC
山西雄司，森　吉弘，高橋　理，山下哲司，諸田尚彦（松下電器産業)

EDD-02-94　SPC-02-124フルCMOS，低コストSOIワンチップインバータIC
中村和敏，陳　少勤，新井晴輝，佐藤久美子，鈴木史人，川野友広，
高橋一郎，高木洋介，大沢靖男，中川明夫（東　芝)

EDD-02-95　SPC-02-125ハイブリッドカー用インテリジェントパワーモジュール
深田雅一，ゴーラブ マジュームダール，高梨　健，前川博敏，赤澤彰則（三菱電機)

EDD-02-96　SPC-02-126電圧駆動型デバイスの低ゲート電圧駆動における
　　　　　　　　発振現象の解析
長畦文男，田上三郎，桐畑文明（富士電機)，蓑谷由成，山田忠則，藤平龍彦
（富士日立パワーセミコンダクタ)

EDD-02-97　SPC-02-127IGBTが負荷短絡動作で示す瞬時破壊の機構
高田育紀（三菱電機)

11月29日 (金) 13：40〜14：55
EDD-02-98　SPC-02-1281200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの
　　　　　　　　短絡特性の解析
大月正人（富士日立パワーセミコンダクタ)，金丸　浩，吉原克彦（富士電機総合研究所)，
桐沢光明，関　康和（富士電機)

EDD-02-99　SPC-02-1296.5kV プレーナ形IGBTチップの開発
石澤慎一，望月浩一（福菱セミコンエンジニアリング)，
末川英介，井浦真一，佐藤克巳（三菱電機)

EDD-02-100　SPC-02-130SiGe/Siヘテロ接合コレクタによるトレンチIGBTの低損失化
工藤嗣友，浅野種正（九州工大)

15：10〜17：00
パネル討論「次世代パワーデバイスはSic, GaN，またはまだまだSi?」