電子デバイス半導体電力変換合同研究会

〔委 員 長〕石原　宏（東工大)

〔幹　　事〕高橋琢二（東　大），和田恭雄（日　立)，益　一哉（東工大)

〔委 員 長〕赤木泰文（東工大)

〔幹　　事〕小倉常雄（東　芝），千葉　明（東京理科大)

〔幹事補佐〕竹下隆晴（名工大），藤田英明（岡山大)

日　時　11月16日 (木) 9：00−17：20
　　　　　11月17日 (金) 9：00−15：35

場　所　島根大学総合理工学部3号館（松江市西川津町1060，交通：出雲空港および
　　　　　米子空港からJR松江駅まで1時間，JR松江駅から会場までバス
　　　　　（市営バス，一畑バス，北循環線）「大学前」で下車（所用時間約20分），
　　　　　会場地図: http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/transportation/transportation.html)

協　賛　パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会
　　　　　(委員長 関　康和，幹事 原田眞名，四戸　孝，幹事補佐 岩室憲幸)
　　　　　IEEE Industry Applications Society Tokyo Chapter
　　　　　IEEE Power Electronics Society Tokyo Chapter
　　　　　IEEE Industrial Electronics Society Tokyo Chapter

宿　泊　以下のホームページを参考にしてください。
　　　　　http://www.green21.com/syukuhaku/simane/matsue-city.htm

現地連絡先　島根大学総合理工学部　電子制御システム工学科
　　　　　舩曳繁之（0852-32-8906），田中俊彦（0852-32-8912)

議　題　テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術/半導体電力変換一般」

11月16日 (木)

　EDD-00-111SPC-00-90　(招待講演）21世紀のパワーエレクトロニクス技術―SiCデバイスと
　　　　　　　　　　　　　　　　　　電力変換技術
　赤木泰文（東工大)
　EDD-00-112SPC-00-91　系統連系単相インバータにおける直流側フィルター容量低減
　　　　　　　　　　　　　　　　　　に関する検討
　工藤文彦，鶴間義徳，成　慶眠，佐藤之彦（東工大)

　EDD-00-113SPC-00-92　低温プラズマ発生装置用薄型MOSFETモジュールを用いた
　　　　　　　　　　　　　　　　　　2MHz6kVA電圧形インバータ
　藤田英明（岡山大），赤木泰文（東工大)，篠原信一（オリジン電気)

　EDD-00-114SPC-00-93　半導体スイッチ1個で構成する三相力率改善回路
　小高章弘，五十嵐征輝（富士電機総研)

　EDD-00-115SPC-00-94　完全空乏化型と部分空乏化型SOIパワーMOSFETの高周波特性
　松本　聡，平岡靖史，酒井達郎（NTT)

　EDD-00-116SPC-00-95　薄型SOIパワーMOSFETの高周波特性における寄生バイポーラ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　効果の影響
　平岡靖史，松本　聡，酒井達郎（NTT)

　EDD-00-117SPC-00-96　低オン電圧を実現した600VトレンチゲートNPT-IGBT
　田中雅浩，寺前　智，高橋　泰，武田　徹，山口正一，小倉常雄，角田哲次郎，
　中尾悟至（東　芝)

　EDD-00-118SPC-00-97　IGBTモジュールの低電流ターンオンの解析
　百田聖自，大月正人，関　康和（富士電機)，
　田久保紘，石井憲一（富士日立パワーセミコンダクタ)

パネル討論「パワーデバイス開発の閉塞感について（仮題）」

11月17日 (金)

　EDD-00-119SPC-00-98　(招待講演）電子デバイス用ダイヤモンド薄膜
　　　　　　　　　　　　　　　　　　―次世代パワーデバイス用材料の可能性を探る―
　大串秀世（電総研)

　EDD-00-120SPC-00-99　パッシベーション膜としてのSiNの電気的特性
　成田政隆（富士電機)

　EDD-00-121SPC-00-100　SiCデバイスの高耐圧化技術
　小野瀬秀勝（日　立)

　EDD-00-122SPC-00-101　ポリシリコンCMOSを用いたアナログ回路，ドライバ回路の検証
　末代知子，小島　勉，中川明夫（東　芝)

　EDD-00-123SPC-00-102　0.5μmBiCMOS&DMOSプロセスにおける5V-90V系素子形成技術
　寺島知秀，山本文寿，畑迫健一（三菱電機)

　EDD-00-124SPC-00-103　2.3kVac 100MHzマルチチャネル モノリシック アイソレーターIC
　根本峰弘（日　立)

　EDD-00-125SPC-00-104　低オン抵抗，高破壊耐量を有する低圧MOSFETの開発
　楢崎敦司（菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング)，丸山錠冶（極陽セミコンダクタ)，
　家弓俊樹（三菱電機)，浜地浩明（福菱セミコンエンジニアリング)，守谷純一（三菱電機)

　EDD-00-126SPC-00-105　IGBTに二次破壊現象は存在するか?
　高田育紀（三菱電機)

　EDD-00-127SPC-00-106　4.5kV-2000AパワーパックIGBT
　藤井岳志，吉川　功，古閑丈晴，西浦　彰（富士電機総研)，
　柿木秀昭（富士日立パワーセミコンダクタ)，一條正美（富士電機)

　EDD-00-128SPC-00-107　ソフトリカバリーダイオードの設計コンセプト
　根本道生，西浦　彰，内藤達也（富士電機総研)，桐沢光明，大月正人，関　康和（富士電機)

　EDD-00-129SPC-00-108　高いリカバリー耐量を持つ6.5kV高速ソフトリカバリーダイオード
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（U-SFD)
　小林秀男，安田保道，森　睦宏（日　立)