電子デバイス半導体電力変換合同研究会

〔委 員 長〕榊　裕之（東　大)

〔幹　　事〕高橋琢二（東　大)，和田恭雄（日　立)

〔委 員 長〕赤木泰文（岡山大)

〔幹　　事〕竹内　南（東　芝)，高橋宏治（東工大)

〔幹事補佐〕竹下隆晴（名工大)，千葉　明（東京理科大)

日　時　10月21日（木）9：00〜16：45
　  　　　10月22日（金）9：00〜14：15（注：開催日が変更になりました)

場　所　北海道大学百年記念館1階大会議室
（札幌市北区北9条西5，新千歳空港からJR札幌駅までJR利用で36分
（15分間隔で運行)，JR札幌駅西口から北北西に向かい徒歩5分で北大正門着，
北大正門から会場まで徒歩2分，Tel011-716-2111 ext.3211)
　　　　会場地図：http: //www.hokudai.ac.jp/bureau/keiri/sisetu/o6.html
　　　　あるいは，http: //www.hokudai.ac.jp/bureau/map/mapindx1.htm，
現地連絡先：北海道大学工学部電子工学科，雨宮好仁（tel: 011-706-7147)，
赤澤正道（tel: 011-706-7149))

協　賛　パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会（委員長 関　康和，
幹事 四戸　孝，原田眞名，幹事補佐 岩室憲幸)
　　　　IEEE Industry Applications Society Tokyo Chapter
　　　　IEEE Power Electronics Society Tokyo Chapter
　　　　IEEE Industrial Electronics Society Tokyo Chapter

議　題　テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術/半導体電力変
換一般」

10月21日（木）9：00〜11：55

　EDD-99-93SPC-99-73〔招待講演〕SiCMOSFETの諸問題と基礎技術
　福田憲司，鈴木誠二，先崎純寿，小杉亮治，田中知行，荒井和雄（超低損失電力素
子技術研究体)

　EDD-99-94SPC-99-74〔招待講演〕SiCパワーデバイスの可能性
　上野勝典（富士電機総研)

　EDD-99-95SPC-99-754素子3相インバータによるブラシレスDCモーターの高効率駆動
　滝沢聡毅，田畑壮章，谷川太一，五十嵐征輝，黒木一男（富士電機総研)

　EDD-99-96SPC-99-76直流電流脈動を低減した系統連系単相電流形インバータ
　茂木進一，前田明志（東京電機大)

　EDD-99-97SPC-99-77パルス面積変調を適用した降圧形と昇降圧形整流器の直流イン
ダクタの容量低減に関する比較検討
　中島篤志，茂木進一，前田明志（東京電機大)

10月21日（木）13：30〜16：45

　EDD-99-98SPC-99-78ソフトスイッチングインバータにおけるIGBTおよびMCTの性能
評価大森英樹，弘田泉生，寺井春男（松下電器)，中岡睦雄（山口大)

　EDD-99-99SPC-99-79リセストゲートIGBT
　根本道生（富士電機総研)，B.J.Baliga（N.C. State Univ.)

　EDD-99-100SPC-99-80広い安全動作領域を有する低損失HiGT
　小林秀男，内野禎敬，森　睦宏（日　立)

　EDD-99-101SPC-99-81高破壊耐量2.5kVパワーパックIGBTチップデザインコンセプト
　吉川　功，古閑丈晴，藤井岳志，加藤　勉（富士電機総研)
高橋良和，関　康和（富士電機)

　EDD-99-102SPC-99-824世代プレーナーIGBT搭載DIP-IPM
　山下潤一，田所千広，川藤　寿，岩上　徹，岩本英雄（三菱電機)

　EDD-99-103SPC-99-83新ソース構造を用いた600V MCCTの電気的特性
　岩穴忠義，関　康和（富士電機)，岩室憲幸，原田祐一（富士電機総研)

　EDD-99-104SPC-99-84高信頼性大電流IGBTモジュールの開発
　斉藤隆一，小池義彦，田中　明，九嶋忠男，清水英雄，野々山茂晴（日　立)

10月22日（金）9：00〜11：25

　EDD-99-105SPC-99-85デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製
した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
　石山俊彦，松本　聡，酒井達郎，谷内利明（NTT)

　EDD-99-106SPC-99-86自己シールド・自己分離技術を用いたHVICの開発
　山崎智幸，熊谷直樹，小谷部和徳，多田　元，武田久雄，関　康和（富士電機)，
桜井健弥（富士電機総研)

　EDD-99-107SPC-99-87高耐圧デバイス用チャネルストッパーSLIT-EQR技術の開発
　佐々木克仁，木村偉作男，石切山衛，金井美之（沖電気工業)

　EDD-99-108SPC-99-880.5　μm BiCMOS&DMOS開発
寺島知秀，山本文寿（三菱電機)

　EDD-99-109SPC-99-89500V3AワンチップインバータIC用横形IGBTの特性向上
　鈴木史人，舟木英之，山口好広，中川明夫（東　芝)

10月22日（金）13：00〜14：15

　EDD-99-110SPC-99-90大容量GCTサイリスタの最適設計
　佐藤克己，森下和博，倉地和博，山口義弘，山本正則，岩本英雄（三菱電機)

　EDD-99-111SPC-99-914500VマルチリサーフMOSFETのシミュレーションによる特性予測
　中村和敏，川口雄介，八幡彰博，中川明夫（東　芝)

　EDD-99-112SPC-99-92電子と正孔のドリフト移動度と有効質量の簡単なモデル
　高田育紀（三菱電機)

＊10月21日（木）18：00から北海道大学百年記念館内食堂にて，懇親会を予定してい
ますので奮ってご参加下さい。また，宿泊はホームページhttp:
 //www.sapnet.ne.jp/sss/sssplanet/leis1-34.htmlをご参考にして下さい。