SPC1007

電子デバイス半導体電力変換　合同研究会

〔委 員 長〕榊　裕之（東　大)

〔幹　　事〕高橋琢二（東　大)，和田恭雄（日　立)

〔委 員 長〕木村軍司（東京都立大)

〔幹　　事〕竹内　南（東　芝)，赤木泰文（岡山大)

〔幹事補佐〕高橋宏治（東工大)，千葉明（東京理科大)

日　時　10月7日（水）13：30〜17：30

　　　　10月8日（木） 9：30〜16：05

場　所　山梨大学工学部T1号館8F会議室（山梨県甲府市武田4-3-11，交通：JR中央本線甲府駅下車，駅北口より武田通を北上，徒歩10分，武田通東側工学部構内)〔現地連絡先：山梨大学工学部電気電子システム工学科　清水　東（Tel 0522-20-8475）あるいは矢野浩司（Tel 0552-20-8476)〕

協　賛　パワーデバイス高性能化・インテリジェント化技術調査専門委員会

　　　　（委員長 中川明夫，幹事 関　康和，原田眞名，幹事補佐 四戸　孝)

議　題　テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術/半導体電力変換一般」

10月7日（水）13：30〜17：30

　EDD-98-87SPC-98-71大電力パルス発生技術とそれに向けたパワーデバイスの動向

―パワーデバイスを用いた大電力パルス発生技術調査専門委員会活動報告―

石井彰三（東工大)，竹内　南（東　芝)，高田育紀（三菱電機)，安岡康一（東工大)

　EDD-98-88SPC-98-72放電レーザ用6kV/60A/2MHz高圧ダイレクトスイッチインバータの開発

岩田昭彦，西前順一，熊谷　隆，松原真人，田中正明（三菱電機)

　EDD-98-89SPC-98-73マルチコレクター構造を適用した新型2.5kV-1.8kA平型IGBT

古閑丈晴，山崎和昭，脇本博樹（富士電機総研)

高橋良和，桐畑文明（富士電機)，関　康和（富士電機総研)

　EDD-98-90SPC-98-746kV/4kA GCTサイリスタ

森下和博（福菱セミコンエンジニアリング)

佐藤克己，山元正則（三菱電機)，倉地和博（福菱セミコンエンジニアリング)

　EDD-98-91SPC-98-75GCTサイリスタと高耐圧IGBTの可能性

高田育紀，武田満喜，佐藤克己（三菱電機)

　EDD-98-92SPC-98-76電流センス機能付4500VトレンチゲートIEGT

金　宏信，北川光彦（東　芝)

　EDD-98-93SPC-98-77コレクタ層の最適化による4.5kVパンチスルーIGBTの特性改善

末川英介（三菱電機)友松佳史（福菱セミコンエンジニアリング)

円城寺正，近藤久雄（メルニック)武田満喜，山田富久（三菱電機)

　EDD-98-94SPC-98-78ホール蓄積効果をもつ高伝導新型IGBT（High-Conductivity IGBT: HiGT)

内野禎敬，坂野順一，小林秀男，森　睦宏（日　立)

10月8日（木）9：30〜11：40

　EDD-98-95SPC-98-79デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製したQuasi-SOIパワーMOSFETの短チャネル効果の検討

松本　聡，石山俊彦，平岡靖史，酒井達郎，谷内利明（NTT)，伊藤昭男，有本由弘（富士通研)

　EDD-98-96SPC-98-80アナログ出力用20V系リサーフLDMOSの最適設計

川口雄介，木下浩三，中川明夫（東　芝)

　EDD-98-97SPC-98-81DC-DCコンバータに適用した薄層SOIパワーMOSFETの消費電力解析

平岡靖史，松本　聡，酒井達郎，谷内利明，塚本一男（NTT)

　EDD-98-98SPC-98-82200℃高温動作パワーIC

山口好広，安原紀夫，末代知子，中川明夫（東　芝)

　EDD-98-99SPC-98-83パワーMOSFETのアバランシェ耐量とパワートランジスタのSOAの関係

山下潤一，田所千広，幡手一成（三菱電機)

平野富人，大倉　寛（福菱セミコンエンジニアリング)

　EDD-98-100SPC-98-84TCADによるノンプレーナ型IGBT解析―CONCAVE-IGBTの特性―

高橋茂樹，八代賢一，黒柳　晃，戸倉規仁（デンソー)

10月8日（木）13：00〜16：05

　EDD-98-101SPC-98-85p-層パンチスルー構造による光サイリスタのオン電圧の低減

加藤修治，崔　宰豪，横田武司，斎藤克明，渡辺篤雄（日　立)

　EDD-98-102SPC-98-86大容量SIサイリスタのゲート構造と電気的特性

山田真一，森川良樹，花倉　満，川村貴保（明電舎)

宮崎　聡，市川文俊（東京電力)，岸部英人（東北電力)

　EDD-98-103SPC-98-87MCCTにおけるターンオン特性と負荷短絡時の振動解析

岩穴忠義，岩室憲幸，原田祐一，小野沢勇一，関　康和（富士電機総研)

　EDD-98-104SPC-98-88pベース層クランプ型MOS制御サイリスタ（IGCT)

坂野順一，小林秀男，森　睦宏（日　立)

　EDD-98-105SPC-98-89高速・高破壊耐量4.5kVプレーナダイオードの開発

松下憲一，四戸　孝，附田正則，南　良博，大橋弘通，三輪潤一，柳澤暁（東　芝)

　EDD-98-106SPC-98-90高破壊耐量とソフトな逆回復特性を持つ3.3kVダイオード

長洲正浩，小林秀男，佐伯貴広，安田保道，齋藤隆一，森　睦宏（日　立)

　EDD-98-107SPC-98-91静電誘導型パワーダイオード

逸見　勲，矢野浩司，小原英靖，春日正伸，清水　東（山梨大)

＊10月7日（水）研究会終了後，17：45〜20：00まで懇親会を山梨大学生協2Fグリルにて開催いたしますので，奮ってご参加下さい。会費：1名4,000円

＊宿泊は，参加者各自にて予約をお願いいたします。甲府，湯村ホテル旅館案内のホームページを参照して下さい（http: //www.city.kofu.yamanashi.jp/watch/hotel.htm）。甲府市内北口，朝日，丸の内，中央近辺であれば会場までは徒歩可能，また，共済組合連合会宿泊施設有り（ニュー芙容，Tel 0552-52-1327)